[ Print ]  [ Close ]

http://ece.modares.ac.ir/index.jsp?siteid=11&pageid=28293&newsview=22327   , 1403/02/30


جلسه دفاع پایان نامه: علی نجد، گروه الکترونیک

ارائه کننده: علی نجد
استاد راهنما: دکتر عبدالرضا نبوی
استاد ناظر داخلی اول: دکتر سعید سعیدی
استاد ناظر خارجی اول: دکتر صمد شیخایی (دانشگاه تهران)
تاریخ: 1402/11/15
ساعت: 17
مکان: کلاس 01/6

چکیده:
در ساخت رادار های شناسایی برای بالابردن امنیت، بهره و عدد نویز برای تشخیص و شناسایی بسیار مهم است. در بلوک گیرنده LNA معمولا پس از آنتن قرار میگیرد و بدلیل جایگاهی که دارد بسیار با اهمیت است. طراحی LNA-Detector برای آشکارسازی سیگنال، با توجه به پهنای باند کاری گیرنده، بهره خطینگی و عدد نویز از پارامتر های مهم طراحی است.
مدار پیشنهادی طراحی شده از دو بخش تقویت کننده کم نویز و آشکارساز ها تشکیل شده اند که در محدوده فرکانسی Ka-band کار میکنند. ساختار تقویت کننده از سه طبقه تقویت کننده تشکیل شده است که طبقه‌ی اول از تکنیک بکارگیری مجدد جریان استفاده شده و طبقات دوم و سوم به شکل تفاضلی طراحی شده است برای تبدیل طبقه اول به تفاضلی از ساختار بالون فعال در طبقه میانی استفاده شده است.
برای بهبود پهنای باند از سلف تزویج طراحی شده بین طبقات دوم و سوم استفاده شده است. همچنین از شبکه T شکل برای افزایش پهنای باند نیز در خروجی طبقات استفاده شده است. از سلف میانی بین ترانزیستور های کاسکود شده برای افزایش بهره کمک گرفته شده است. بهره به دست آمده برای تقویت کننده حدود 38 dB با توان مصرفی  16.5 mWبوده است.
دو آشکارساز دامنه و RMS در خروجی LNA قرار دارد. ترانزیستورها در ناحیه اشباع بایاس شده اند. در خروجی آشکارساز با توجه به سطح دامنه سیگنال ولتاژ DC بخصوصی ایجاد خواهد شد. توان مصرفی این آشکارساز ها مجموعا 60uW بوده و محدوده دینامیکی آن ها حدود30 dB  است. ترانزیستور ها طوری بایاس شده اند که عملکرد خطی مطلوبی برای آشکارسازی داشته باشند. از دو خازن برای حفظ ولتاژ در آشکارساز استفاده شده است تا بعدا از این ولتاژ ها به عنوان ولتاژ ورودی اپ امپ برای تبدیل به ولتاژ خروجی مورد نظر استفاده کرد طراحی با تکنولوژی CMOS 180nm انجام شده و ابعاد لیوت طراحی شده برابر 1.8 میلیمتر مربع است.


08:36 - يکشنبه 15 بهمن 1402    /    شماره خبر : 22327    /    تعداد نمايش خبر : 97