جلسه دفاع از پایان‌نامه: خانم نسرین صلح طلب، گروه مهندسی الکترونیک

خلاصه خبر: طراحی و ساخت لایه پروسکایت سلولهای خورشیدی به منظورکاهش هیسترزیس و افزایش پایداری

  • عنوان: طراحی و ساخت لایه پروسکایت سلولهای خورشیدی به منظورکاهش هیسترزیس و افزایش پایداری
  • ارائه‌کننده: نسرین صلح طلب
  • استاد راهنما: دکتر وحید احمدی
  • استاد ناظر داخلی اول: دکتر داوود فتحی
  • استاد ناظر خارجی اول: دکترعزالدین مهاجرانی (دانشگاه: شهید بهشتی)
  • استاد مشاور اول: دکتر بهرام عبدالهی نژند
  • مکان: لاس 6.09
  • تاریخ: 97/12/15
  • ساعت: 11:30

چکیده مشخص شده¬است که سلول¬های خورشیدی پروسکایتی نسبت به رطوبت، دما، تابش نور و اکسیژن و ... حساس هستند. از میان این عوامل، ناپایداری در برابر تابش نور یکی از مهم¬ترین نگرانی¬هاست. چراکه اگر روزی این سلول¬ها به مرحله تولید انبوه و تجاری¬شدن برسند، قرار است که تحت تابش نور خورشید کار کنند. ما در این پژوهش به بررسی پایداری حرارتی و پایداری تحت تابش نور فیلم CsxMA1-xPbI3 و سلول¬خورشیدی مبتنی بر آن پرداختیم و مشاهده شد که با ورود Cs به ساختار، پایداری نوری به میزان قابل توجهی بهبود یافت. منبعی که عموما برای وارد کردن Cs استفاده می¬شود CsI است. در این پژوهش به دلیل مزیت¬های ثابت شده Cl بر روی مورفولوژی، از منبع CsCl برای وارد کردن Cs به ساختار استفاده شد و با طیف¬سنجی XRD و UV-Visible ورود تدریجی سزیم که ناشی از تغییر غلظت پیش¬ماده CsCl است، مشاهده شد. Cl موجود در آن باعث بهبود مورفولوژی و درشت¬تر شدن اندازه دانه¬ها در غلظت M0.05 از این پیش¬ماده شد که این منجر به افزایش بازدهی از %5.69 تا %7.03 شد. همچنین مشاهده شد که با افزایش پیش¬ماده CsCl پسماند الکتریکی نمودار جریان-ولتاژ به طور قابل توجهی کاهش می¬یابد که با مطالعه آنالیز طیف¬سنجی امپدانس به بررسی این اثر پرداختیم. آنچه مشخص شد این بود که از آنجایی که یون Cs نسبت به MA سنگین¬تر است و نیاز به انرژی فعال¬سازی بیشتری دارد، تحت تاثیر میدان الکتریکی به راحتی درون ساختار پروسکایت حرکت نمی¬کند. در نتیجه در سطوح تماس با لایه¬های انتقال¬دهنده بار تجمع کمتری از یون¬ها را داریم که همین امر باعث کاهش پسماند الکتریکی افزاره فتوولتائیک می¬شود.
کلمات کلیدی سلول خورشیدی پروسکایتی، پایداری نوری، کاهش هیسترزیس، مهاجرت یونی، سزیم، کلر


21 اسفند 1397 / تعداد نمایش : 1760