متن کامل خبر


 
جلسه دفاع از پایان‌نامه: آقای مصطفی قلیزاده، گروه مهندسی مخابرات

خلاصه خبر: : تحلیل و شبیه¬سازی انتشار امواج الکترومغناطیسی در فرامواد دارای اپسیلون نزدیک صفر

  • عنوان: : تحلیل و شبیه¬سازی انتشار امواج الکترومغناطیسی در فرامواد دارای اپسیلون نزدیک صفر
  • ارائه‌کننده: مصطفی قلیزاده
  • استاد راهنما: دکتر محسن غفاری میاب
  • استاد ناظر داخلی اول: دکتر مروج فرشی
  • استاد ناظر خارجی اول: دکتر راشد محصل (دانشگاه: تهران )
  • مکان: سالن جلسات
  • تاریخ: 96/11/14
  • ساعت: 07:00

چکیده: در این پایان¬¬نامه رفتار الکترومغناطیسی دو ساختار استوانه¬ای و کروی مبتنی بر فرامواد دارای گذردهی الکتریکی نزدیک صفر در صورت میل کردن نفوذپذیری مغناطیسی آنها به سمت صفر، به صورت تحلیلی و عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. ابتدا میدان¬های¬الکترومغناطیسی ناشی¬از تشعشع یک منبع جریان خطی که در مکان دلخواه داخل یک استوانه از جنس فرامواد مذکور تعبیه شده، به صورت تحلیلی و عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. برای بررسی تحلیلی میدان¬های این ساختار ابتدا روابط مربوط به میدان¬های الکترومغناطیسی ساختار، با استفاده از حل معادله¬ی موج در دستگاه مختصات استوانه¬ای به دست آورده شده است. سپس با میل دادن همزمان مقدار گذردهی الکتریکی و نفوذپذیری مغناطیسی، میدان¬های الکترومغناطیسی مربوط به حالتی که استوانه از جنس این فراماده می¬باشد، تعیین شده است. در ادامه برای این ساختار استوانه¬ای نشان داده شده است که می توان از قضیه¬ی تصویر برای به دست آوردن میدان مغناطیسی داخل استوانه بهره جست. برای ساختار کروی نیز روابط مربوط به تابع گرین دایادیک تشعشع منابع جریان قرار داده شده در بیرون از کره¬ی به دست آورده شده است. با این تحلیل دایادیک، میدان¬های ناشی از هر منبع جریان دلخواه قابل استخراج می¬باشد.
کلمات کلیدی: فرامواد دارای اپسیلون نزدیک صفر، فرامواد دارای میو و اپسیلون نزدیک صفر، قضیه¬ی تصویر، تابع گرین دایادیک

11 بهمن 1396 / تعداد نمایش : 149