متن کامل خبر


 
جلسه دفاع از پایان‌نامه: خانم حمیرا شیخی جویباری، گروه مهندسی مخابرات

خلاصه خبر: تحلیل نظری و عملی تأثیرات مواد مغناطیسی-دی‌الکتریکی بر شکاف‌های موجبری

  • عنوان: تحلیل نظری و عملی تأثیرات مواد مغناطیسی-دی‌الکتریکی بر شکاف‌های موجبری
  • ارائه‌کننده: حمیرا شیخی جویباری
  • استاد راهنما: دکتر کیوان فرورقی
  • استاد ناظر داخلی اول: دکتر زهرا اطلس‌باف
  • استاد ناظر خارجی اول: دکتر محمدصادق ابریشمیان (دانشگاه: صنعتی خواجه نصیر )
  • مکان: اتاق شورا -710
  • تاریخ: 96/12/26
  • ساعت: 09:00

چکیده: یک روش برای بهبود بهره در آنتن‌های مسطح، افزودن فرابستر به روی منبع تشعشعی است که در سال‎های اخیر به میزان زیادی بحث و بررسی شده است. یکی از این نوع فرابسترها، محیط‌های مغناطیسی-دی‌الکتریکی است که دارای مقدار نفوذپدیری مغناطیسی و گذردهی بزرگ‌تر از واحد هستند. استفاده از مواد مغناطیسی-دی‌الکتریکی به عنوان فرابستر برای آنتن‌های مسطح در حین افزایش بهره سبب حفظ ابعاد شده است. در این پژوهش سعی در بررسی و بهبود مشخصات آنتن‌های شکافی تغذیه شونده با موجبر در حضور فرابستر مغناطیسی-دی‌الکتریکی است. به دلیل قرارگیری لایه مغناطیسی در میدان نزدیک آنتن، مشخصات رزونانسی آن تحت تأثیر قرار می‌گیرد. در ابتدا نشان داده شد که با استفاده از حل میدان‌ بیرون از شکاف به روش تبدیل فوریه برداری و اعمال روش گالرکین، می‌توان مشخصات رزونانسی تک شکاف را در حضور هر لایه از جنس ماده مغناطیسی-دی‌الکتریکی به بدست آورد. برای نمونه مشخصات یک شکاف در موجبر استاندارد WR187 در حضور لایه مغناطیسی-دی‌الکتریکی با نفوذپذیری 10 و گذردهی الکتریکی 1 و ضخامت mm 3 محاسبه و با نتایج شبیه‌سازی تطبیق داده شده است. سپس به روش الیوت، طراحی آنتن آرایه شکافی موجبری رزونانسی در حضور لایه مغناطیسی ایده‌آل با مقدار نفوذپذیری مغناطیسی 10 انجام شد که نشان‌‌دهنده افزایش بهره به میزان db 9/3 شده است. نهایتاً ساختار سلول واحد فراماده‌ی مغناطیسی-دی‌الکتریکی، طراحی و شبیه‌سازی شد. این ساختار در فرکانس طراحی دارای نفوذپذیری 82/7 است. آرایه‌ی شکافی موجبری رزونانسی در حضور این لایه مغناطیسی طراحی و شبیه‌سازی شده و افزایش بهره به میزان db 3/3 مشاهده شده است.

22 اسفند 1396 / تعداد نمایش : 233