متن کامل خبر


 
جلسه دفاع از پایان‌نامه: جمشید حکاک صادقی، گروه مهندسی الکترونیک

خلاصه خبر:

  • عنوان: طراحی و تحلیل یک تقویت کننده کم نویز باند K در تکنولوژی CMOS
  • ارائه‌کننده: جمشید حکاک صادقی
  • استاد راهنما: جناب دکتر عبدالرضا نبوی
  • استاد ناظر خارجی: جناب دکتر صمد شیخائی(دانشگاه: تهران)
  • استاد ناظر داخلی: جناب دکتر سعید سعیدی
  • استاد مشاور: -
  • مکان: دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، اتاق شورا (710)
  • تاریخ: 1394/11/24
  • ساعت: 13:30

چکیده
در این پایان¬نامه، یک ساختار برای یک تقویت کننده کم نویز در بازه فرکانسی 18 تا 21 گیگاهرتز (K-Band)، در تکنولوژی 180 نانومتر CMOS پیشنهاد شده است. در این مدار پیشنهادی از ساختار کسکود دو طبقه سورس-مشترک و همچنین از دو سلف میانی در شاخه درین ترانزیستور ورودی و در شاخه درین ترانزیستور خروجی منظور دستیابی به بهره بالا و عدد نویز پایین استفاده شده است. طراحی در سطح جانمایی یکی از مشکلات طراحی مدارهای آنالوگ در فرکانس بالا می¬باشد. بررسی اثرات المان¬ها و مسیرهای مهم در این فرکانس، کاهش طول مسیرهای سیگنال RF، کاهش ضخامت مسیر کشیده شده، جلوگیری از ایجاد سلف اضافی در مسیر سیگنال RF ، نزدیکی المان¬ها بهم و پیدا کردن مقاومت¬های اضافی در مسیرهای بایاس و زمین مدار (به دلیل بهم خوردن بایاس مدار) و حذف آن¬ها با بهینه کردن طراحی از جمله نکاتی می¬باشند که در طراحی سطح جانمایی به کار برده شده¬اند. در این پایان¬نامه همچنین شبیه سازی¬های میدانی برای مسیرهای حساس به سلف و ترانزیستورهای ساختار به منظور بررسی صحت نتایج به دست آمده از شبیه سازی در سطح جانمایی انجام شده است. در نتیجه طراحی به گونه¬ای انجام شده است که نتایج آن کمترین اختلاف ممکن را با نتایج شبیه سازی اولیه در سطح مداری دارد. در تقویت کننده پیشنهادی از روش شناور بودن بدنه ترانزیستورها برای کاهش نویز استفاده شده است که این روش عدد نویز را به میزان dB5.0 کاهش می¬دهد.
کلمات کلیدی
تقویت کننده کم نویز، K-Band، CMOS، سورس-مشترک، Body Floating

19 بهمن 1394 / تعداد نمایش : 647